封裝方式	傳統封裝QFP、BGA）	晶圓級晶片尺寸封裝Wafer Level CSP
優點	技術成熟 製程穩定	尺寸小 成本低 簡化製程 可達Fine Pitch要求
缺點	無法達到未來細間距要求 製程較複雜  完成的IC成本高	I/O數少A(<100)

WAFER LEVEL-CSP Flux鋼板規格設『計【 – 傳統型

PAD Opening 位置

• PAD Opening設計： X1: 上開口設計，X2=下開口設計 / X2 – X1 = 2~6um(可設計)
• Stencil Thickness (MF) : MF : 20~100um(可設計)
• Tension (N): 20~34N(可指定)

WAFER LEVRL CSP - 植球鋼板規格設計

• PAD開孔設計： X1 開口尺寸視Solder Ball尺寸 ; X3 – X2 = 2~6um(可設計)
• Stencil Thickness (CT): CT:15~30um(可設計)
• Metal Foil Thickness (MF1 & MF2) : MF1 : 80~130um(可設計) ; MF2:200~250um(Metal or Polymer)
• Tension (N): 20~34N(可指定)

電鑄版內壁比較圖

Compared 日本Source Stencil and 正▓中電鑄版 Opening Dimension.

正中電鑄版 had better performance than 日本Source.

Compared 日本Source Stencil and 正中電鑄版 之 落錫量分析

正中電鑄版 had better performance than 日本Source.

Stencil Application and surface technology

Surface Treatment

Flux鋼板規格設計 – 正中Alpha StenSol (Design for Liquid Flux)

PAD 位置開孔

• PAD開孔設計： X1 開口尺寸視Flux下墨量決定尺寸 ; X3 – X2 = 2~6um(可設計)
• Alpha Mesh Thickness (CT): CT:15~30um(可設計)
• Metal Foil Thickness (MF) : MF : 20~100um(可設計)
• Tension (N): 20~34N(可指定)

半導體掃錫球電鑄版技術規範

底層
最大圖形◤設計 Biggest Design Size	6吋~12吋 晶圓
材質：Material	NiCo合金
總長精度(%)：Accumulate Accuracy：	+/-0.01%L
版厚區間(μm)：Thickness Range	20~200
版厚精度<圖形〗範圍內>(μm)：Thickness Accuracy	20~50μm(+/-3μm) 51~100μm(+/-10μm) 101~200μm(+/-20μm)
最小開口孔徑(μm)：Minimum Aperture	50μm
最小開口間距(μm)：Minimum Space	50μm
開口精度(μm)：Opening Aperture Accuracy	+/-3μm(版厚區間：20~50μm) +/-5μm(版厚區間：51~100μm) +/-5μm(版厚區間：101~200μm)
寬厚比：Aspect Ratio	≦1:1.2

架橋層
材質：Material	高分子/NiCo合金
單邊對位寬度(μm)：Alignemnet Space：	30μm/side
版厚精度(圖形範圍內)：Thickness Accuracy	高分子：+/-3μm NiCo合金：+/-10μm
最小架橋面積(μm)：Minimum Support Area	40μm×40μm
最小架橋寬度(μm)：Minimum Spport Width	40μm×40μm

成品
寬厚比：Aspect Ratio	≦1:1.2
張力(N)：Tension	20~34

正中電鑄加工+ 高分子膜製程優點

• 電鑄成＠ 形加工之鋼版，其累積誤差控制及膜厚較為精準。
• 支撐點採高分子膜，其平坦度較佳，膜厚均勻度可控制在3μm以下。
• 製程採電鑄製程，材質為鎳鈷合金，使用壽命較長。
• 高分子膜面積平均佈滿，印刷時不會因單點硬度不均，造成卐被印物壓損。

圖示說明

• 高分子膜距開孔△距X值為50~500μm(依產◥品設計而定)

圖示說明

• 高分子膜距開孔距X值為50~500μm(依產品設々計而定)